深圳50GHZ PIN光电探测器使用方法

光电探测器，属于光线传感器的一种，它常用于摄像头和其他成像设备中。它们可以感知称为“光子”的基本粒子的图案，并通过这些图案创造出图像。不同的光电探测器用于感知光谱的不同部分。例如，夜视眼镜中使用的光电探测器就是用于感知肉眼不可见的热辐射。还有一些光电探测器应用于摄像头，这些摄像头通过环境中化学物质反射光线的方式来辨别它们。光电探测器的多功能程度主要取决于三个因素：运行速度、感知低强度光线的能力、感知的频谱范围。通常来说，如果工程师们改善了这三个因素中的某一个，那么另外两个因素中就会至少有一个变得恶化。光子型探测器是有选择性响应波长的探测器件。深圳50GHZ PIN光电探测器使用方法

雪崩效应只是APD的工作原理，和工作模式不是一个东西。APD工作模式分盖革模式和线型模式，区别在于线型模式偏置电压低于反向击穿电压，盖格模式偏置电压高于击穿电压。线性模式下APD就是一个增益高的普通光电二极管。盖格模式下APD接受到光子后就会进入并一直处于反向击穿状态，APD一直通过一个很大的反向电流。这时，通过外部电路使偏置电压暂时下降至击穿电压之下，APD从反向击穿模式恢复，等待下一个光子，所以盖格模式通常只适用与单光子计数应用。广东10G多模 PIN光电探测器零售价所谓相干调制，就是利用要传输旳信号来改变光载波旳频率、相位和振幅。

光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。这种情况主要是选择响应时间短或上限频率高的器件，但在电路上也要注意匹配好动态参数；光电探测器必须和输入电路在电特性上良好地匹配，以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等；为使器件能长期稳定可靠地工作，必须注意选择好器件的规格和使用的环境条件，并且要使器件在额定条件下才能使用。

光电探测器件的应用选择，实际上是应用时的一些事项或要点。在很多要求不太严格的应用中，可采用任何一种光电探测器件。不过在某些情况下，选用某种器件会更合适些。例如，当需要比较大的光敏面积时，可选用真空光电管，因其光谱响应范围比较宽，故真空光电管普遍应用于分光光度计中。当被测辐射信号微弱、要求响应速度较高时，采用光电倍增管比较合适，因为其放大倍数可达10^4～10^8以上，这样高的增益可使其信号超过输出和放大线路内的噪声分量，使得对探测器的限制只剩下光阴极电流中的统计变化。因此，在天文学、光谱学、激光测距和闪烁计数等方面，光电倍增管得到广泛应用。光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用。

光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eg<hv，则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收主要的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。光电探测器的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。深圳50GHZ PIN光电探测器使用方法

光电探测器可分为两大类：一类是光子探测器；另一类是热探测器。深圳50GHZ PIN光电探测器使用方法

两束满足相干条件的信号称为相干信号，相干条件（CoherentCondition）：这两束信号在相遇区域：①振动方向相同；②振动频率相同；③相位相同或相位差保持恒定那么在两束信号相遇的区域内就会产生干涉现象。能发出相互干涉的信号的两个信号源就叫相干信号源。在相干信号源情况下正确估计信号方向(即解相干或去相关)的关键问题是如何通过一系列处理或变换使得信号协方差矩阵的秩得到有效恢复，从而正确估计信号源的方向。目前关于解相干的处理基本有两大类：一类是降维处理;另一类是非降维处理。深圳50GHZ PIN光电探测器使用方法

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